При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д. Исследования и эксперименты по ионной имплантации в нашей лаборатории проводятся на ускорителе HVEE-500.
Основные характеристики установки:
- энергия ионов до 500 кэВ для однозарядных ионов,
- широкий диапазон масс ионов (от 1 до 250 а.е.м.),
- высокая стабильность источника высокого напряжения,
- малая расходимость и малый разброс по энергиям пучка ионов,
- хорошо отсепарированный пучок ионов, вплоть до изотопов
- диаметр легируемых пластин – до 150 мм.
- температура подложки: от жидкого азота до +600 °C (возможно увеличение диапазона)
